Kvartsvahvellik substraat
Quartz Wafer Substraadid on peamiselt kõrge -puhtusastmega kvartsist (SiO₂) valmistatud vahvlid, mida kasutatakse laialdaselt pooljuhtides, optoelektroonikas, mikro-elektromehaanilistes süsteemides (MEMS), optilistes seadmetes ja muudes valdkondades.
Kirjeldus
Materjali omadused
- Kõrge puhtusastmega:Tavaliselt valmistatud sünteetilisest kvartsist (nt sulatatud ränidioksiidist), äärmiselt kõrge puhtusastmega (99,99% või rohkem) ja minimaalse lisandite sisaldusega, et vältida seadme jõudluse mõjutamist.
- Termiline stabiilsus:Madal soojuspaisumistegur (≈0,55 × 10⁻⁶/kraad) ja kõrge temperatuuritaluvus (pehmenemistemperatuur ~1600 kraadi), sobib kõrgel temperatuuril{4}.
- Optiline jõudlus:Lai läbilaskvusulatus (UV kuni IR), erakordse UV läbilaskvusega, ideaalne fotomaskide, läätsede jms jaoks.
- Keemiline inertsus:Vastupidav hapetele ja leelistele (v.a vesinikfluoriidhape), sobib märgsöövitamiseks.
- Elektriisolatsioon:High resistivity (>10¹⁶ Ω·cm), sobib ideaalselt aluspindade või kõrgsageduslike seadmete isoleerimiseks{1}}.
Rakendused
Pooljuhtide tootmine
- Fotomaski substraadid
- EUV litograafiakomponendid
- Vahvlite töötlemise kandjad
Fotoonika ja optoelektroonika
- Optilised lainejuhi substraadid
- Laserdioodide paigaldamine
- Kvantarvutuse komponendid
Spetsiaalsed rakendused
- MEMS-resonaatori alused
- Kosmoseteleskoobi optika
- Suure{1}}energiaga lasersüsteemid
Tootmisprotsess
- Tooraine süntees:Toodetud aur-sadestamise (nt SiCl₄ oksüdatsiooni) või loodusliku kvartsi puhastamise teel.
- Sulamine ja vormimine:Kõrgel temperatuuril{0}}sulatamine, millele järgneb jahutamine valuplokkideks või otsene tõmbamine varrasteks.
- Lõikamine:Viilutatud õhukesteks vahvliteks, kasutades teemanttraadisaage või laserlõikamist.
- Lihvimine ja poleerimine:Keemiline mehaaniline poleerimine (CMP) saavutab nanomeetri{0}}taseme sileduse.
- Puhastamine ja ülevaatus:Osakeste ja metallist saasteainete eemaldamine, millele järgneb defektide ja parameetrite testimine.
Omadused
|
Füüsikalised omadused |
Väärtused |
|
Puhtus |
＞99.99% |
|
Tihedus |
2,2 g/cm3 |
|
Läbipaistvus |
＞90% |
|
Mohsi kõvadus |
5.5--6.5 |
|
Deformatsioonipunkt |
1280 kraadi |
|
Pehmenemispunkt |
1750 kraadi |
|
Lõõmutamispunkt |
1250 kraadi |
|
Erisoojus (20 - 350 kraadi) |
670J/kg. kraadi |
|
Soojusjuhtivus (20 kraadi) |
1,4 W/m. kraadi |
|
Soojusjuhtivus (w/mk, 1000 kraadi) |
1.0-1.2 |
|
Murdumisnäitaja |
1.4585 |
|
Soojuspaisumise koefitsient |
5.510 -7cm/cm. kraadi |
|
Kuum - töötemperatuur |
1750--2050 kraadi |
|
Lühiajaline - teenindustemperatuur |
1450 kraadi |
|
Pikaajaline - teenindustemperatuur |
1100 kraadi |
|
Keemilised omadused |
Väärtused |
|
Happekindel |
Tugev hape (va HF), tugev leelis, orgaaniline lahus |
|
Kõrged temperatuurid Korrosioonikindel |
Suurepärane |
|
Metalli lisandite sisaldus |
＜5 ppm |
|
Elektrilised omadused |
Väärtused |
|
Vastupidavus |
7107Ω.cm |
|
Isolatsiooni tugevus |
250-400Kv/cm |
|
Dielektriline konstant |
3.7~3.9 |
|
Dielektriline neeldumistegur |
＜410-4 |
|
Dielektriline kadude koefitsient |
＜110-4 |
|
Mehaanilised omadused |
Väärtused |
|
Survetugevus |
1100 MPa |
|
Painutustugevus |
67 MPa |
|
Tõmbetugevus |
48 MPa |
|
Poissoni suhe |
0.14~0.17 |
|
Youngi moodul |
72000 MPa |
|
Nihkemoodul |
31000 MPa |
KKK
K1: Milline on saadaolevate kvartsvahvlite maksimaalne suurus?
V: Standardtoodang kuni 300 mm läbimõõduga, teadus- ja arendustegevuse jaoks on saadaval 450 mm prototüübid.
Q2: kas saate pakkuda kohandatud paksusprofiile?
V: Jah, - saame toota:
- Kiilplaadid (laserrakenduste jaoks)
- Täpne kitsenev kujundus
- Mesa-struktureeritud pinnad
Q3: millist puhastusprotokolli te soovitate?
V: Standardne RCA puhastusprotsess:
1. Orgaaniline eemaldamine (H2SO₂:H2O2)
2. Ioonpuhastus (HCl:H₂O2)
3. HF-viimane hüdrofiilse pinna jaoks
Kuum tags: kvartsvahvli substraat, Hiina kvartsvahvli substraadi tootjad, tarnijad, tehas
Küsi pakkumist
Ju gjithashtu mund të pëlqeni
